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[发明专利]一种钕掺杂的铌酸钾钠基压电透明陶瓷及其制备方法-CN201910408956.8在审
发明人：林枞;王华静;朱剑旭;吴啸;李德俊 -专利权人：福州大学
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种钕掺杂的铌酸钾钠基压电透明陶瓷及其制备方法，首先用稀土离子掺杂铌酸钾钠基陶瓷，用固相法制备陶瓷生坯，然后烧结成型，可以得到透过率达40%，压电常数为100 pC/N以上的铌酸钾钠基压电透明陶瓷本发明工艺步骤简单，易于操作，可得到致密度较高的铌酸钾钠基压电透明陶瓷。
铌酸钾钠基透明陶瓷压电钕掺杂制备铌酸钾钠基陶瓷稀土离子掺杂固相法制备工艺步骤烧结成型陶瓷生坯压电常数透过率

[发明专利]一种镝掺杂的铌酸钾钠基透明发光陶瓷及其制备方法-CN201910414625.5在审
发明人：林枞;王华静;黄雨铭;吴啸;邓宝玉 -专利权人：福州大学
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种镝掺杂的铌酸钾钠基透明发光陶瓷及其制备方法。本发明用稀土镝离子掺杂铌酸钾钠基陶瓷，用固相法制备陶瓷生坯，然后烧结成型，得到透过率达52%，具有良好发光性能的铌酸钾钠基透明发光陶瓷。本发明工艺步骤简单，易于操作，能得到致密度较高的铌酸钾钠基透明发光陶瓷。
铌酸钾钠基发光陶瓷透明镝掺杂制备铌酸钾钠基陶瓷固相法制备发光性能工艺步骤离子掺杂烧结成型陶瓷生坯透过率稀土镝

[发明专利]正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基无铅压电单晶及其制备方法-CN201210131057.6有效
发明人：郑立梅;霍晓青;王军军;仪修杰;张锐;曹文武;杨彬 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2012-04-28 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基无铅压电单晶及其制备方法，它涉及一种功能性单晶材料及其制备方法。本发明解决了铌酸钾钠基压电单晶生长困难、尺寸小、压电性能低的技术问题。本生长工艺生长出的铌酸钾钠基压电单晶径向大小约8mm，长约20mm，尺寸较大，质量均匀，电学性能良好。本发明的正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基压电单晶为纯钙钛矿结构，无其它杂相。室温下锂钽掺杂铌酸钾钠基压电单晶为正交相结构。正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基压电单晶具有非常良好的压电性能。
交相掺杂铌酸钾钠基无铅压电及其制备方法

[发明专利]一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制作工艺与应用-CN201911017852.0有效
发明人：龚文;吴超峰 -专利权人：桐乡清锋科技有限公司
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及一种铌酸钾钠(KNN)基无铅压电陶瓷及其制作工艺与其在屏幕发声元件中的应用。本发明公开了一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷，采用复合掺杂的方法，通过工艺调节，制备成致密度高、压电响应大的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷。本发明同时提供一种采用上述铌酸钾钠无铅压电陶瓷制作的屏幕发声元件，通过压电阵列的设计，可实现屏幕定点发声。
一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制作工艺应用

[发明专利]一种铌酸钾钠基单晶及其制备方法-CN201410613877.8在审
发明人：李永祥;杨洁;杨群保 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2014-11-04 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种铌酸钾钠基单晶及其制备方法，所述铌酸钾钠基单晶的化学式为(K_0.45Na_0.55)_1-xLi_xNbO₃，其中0≤x≤0.1，所述铌酸钾钠基单晶的尺寸为10mm以上。本发明结合单晶制备和陶瓷烧结工艺，通过引入少量助烧剂，采用单晶籽晶诱导，使得陶瓷基体在低于其熔点温度下转变成单晶，成功制备出了尺寸大于10mm的铌酸钾钠基无铅压电单晶体。
一种铌酸钾钠基单晶及其制备方法

[发明专利]铌酸钾钠基陶瓷及其制备方法和应用-CN202310129091.8在审
发明人：高大强;张曙光;李博森;廖忠新 -专利权人：广东奥迪威传感科技股份有限公司;兰州大学
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本申请涉及陶瓷制备技术领域，特别是一种铌酸钾钠基陶瓷及其制备方法和应用。以解决相关技术中铌酸钾钠基压电陶瓷在制备过程中容易出现裂纹等不良以及最终所所获得的铌酸钾钠基压电陶瓷的温度稳定性较差的问题。一种铌酸钾钠基陶瓷的制备方法，该铌酸钾钠基陶瓷中正交相和四方相共存，该方法包括：按照铌酸钾钠基陶瓷的化学式配比，将反应原料混合，并通过球磨和烧结制备陶瓷粉体；将陶瓷粉体制备成陶瓷坯体；将陶瓷坯体以10～
铌酸钾钠基陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]一种提高铌酸钾钠基无铅压电陶瓷湿度稳定性的添加剂-CN201210379699.8有效
发明人：甄玉花;左平成;韩治德;薛庆忠 -专利权人：中国石油大学(华东)
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： C04B35/63 文献下载
摘要：本发明提供了一种能够增加铌酸钾钠基无铅压电陶瓷湿度稳定性的添加剂，其成分为氧化硼基金属氧化物(xB2O3-(1-x)MO)(x范围为0.5-1.0)，其中MO包括氧化锌、氧化铜、二氧化铈、三氧化二铋、氧化钙利用固相烧结法制备出添加该氧化硼基氧化物的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷固溶体材料。添加氧化硼基氧化物后可显著提高铌酸钾钠基无铅压电陶瓷材料在湿度变化时的性能稳定性，以及铌酸钾钠基无铅压电陶瓷材料的抗潮解能力。本发明可加速铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的实际应用，具有重要的实践意义。
一种提高铌酸钾钠基无铅压电陶瓷湿度稳定性添加剂

[发明专利]铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法-CN201310237035.2有效
发明人：王轲;姚方周;李敬锋 -专利权人：清华大学
申请日： 2013-06-14 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明提出了铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法。其中，铌酸钾钠基无铅压电陶瓷由下列通式所示的化学组成(ABO3)1-x（CaZrO3）x（MnO2）y，其中，A为选自Na、K和Li的至少之一，B为选自Nb和Ta的至少之一，x表示CaZrO3占铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的原子百分比，y为MnO2占铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的质量百分比，并且0.03≤x≤0.07，0≤y≤0.04。该铌酸钾钠基无铅压电陶瓷具有较高的压电性能，其压电常数d33可以达到280～360pC/N，且其反向压电系数d33*在室温至175摄氏度的温度范围内的波动不超过10%。
铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种选择合适铌酸钾钠基压电陶瓷烧结气氛的方法及陶瓷制备工艺-CN201911116769.9在审
发明人：郇宇;王振行;魏涛 -专利权人：济南大学
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及一种选择合适铌酸钾钠基压电陶瓷烧结气氛的方法及陶瓷制备工艺，所述铌酸钾钠基陶瓷材料的化学通式为0.96(K
铌酸钾钠基陶瓷烧结气氛压电性能导电机制铌酸钾钠基压电陶瓷电学性能测试陶瓷制备工艺材料提供高纯氮气工业原料化学通式霍尔效应陶瓷材料烧结电阻率阻抗谱制备测试成功

[发明专利]铌酸钾钠基压电陶瓷及其制备方法和应用-CN202310702030.6在审
发明人：高大强;张曙光;李博森;熊城;廖忠新;邱䶮 -专利权人：广东奥迪威传感科技股份有限公司;兰州大学
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本申请提供的铌酸钾钠基压电陶瓷引入特定比例的Fe3+，使Fe3+与氧空位配合形成具有缺陷偶极子的铌酸钾钠基压电陶瓷，能够使铌酸钾钠基压电陶瓷具有较高的居里温度，具有良好的温度稳定性；同时，本申请的压电陶瓷具有较大的压电耦合常数kp和机械品质因数Qm，且其能够作为助烧剂，降低普通烧结的温度，提高陶瓷的致密度；本申请的铌酸钾钠基压电陶瓷能够通过工业原料制备得到
铌酸钾钠基压电陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]四方相锂锑钽共掺杂铌酸钾钠基压电晶体及其制备方法-CN201310459769.5有效
发明人：郑立梅;王军军;霍晓青;王锐;桑士晶;杨彬;曹文武 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2013-09-29 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：四方相锂锑钽共掺杂铌酸钾钠基压电晶体及其制备方法，它涉及一种铌酸钾钠基压电晶体及其制备方法。本发明要解决现有技术制备过程中铌酸钾钠基压电晶体生长困难、尺寸小的问题。四方相锂锑钽共掺杂铌酸钾钠基压电晶体的化学式为[(K1-xNax)1-yLiy](Nb1-z-tTazSbt)O3，其中0.3铌酸钾钠基压电晶体。
四方相锂锑钽共掺杂铌酸钾钠基压电晶体及其制备方法

[发明专利]一种锂、锑掺杂的铌酸钾钠无铅压电陶瓷的制备方法-CN201110367951.9无效
发明人：臧国忠;李立本;杜凯;李新忠 -专利权人：河南科技大学
申请日： 2011-11-18 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：一种锂、锑掺杂的铌酸钾钠无铅压电陶瓷的制备方法，首先制备具有通式(Na0.52K0.48)1-xLixSbyNb1-yO3的铌酸钾钠基陶瓷的A粉料和B粉料，其中，A粉料中0.075≤x≤0.065，0.06≤y≤0.05；B粉料中0.04≤x≤0.05，0.03≤y≤0.04；然后将A粉料和B粉料等摩尔比混合，再制备最终的锂、锑掺杂的铌酸钾钠无铅压电陶瓷。本发明采用两步法合成锂、锑掺杂的铌酸钾钠基陶瓷，在0～80℃之间，其压电常数d33均保持在250～275PC/N之间，与传统一步法合成的产物相比在保持较高压电性能的同时，其温度稳定性较原有方法制得的锂、锑掺杂的铌酸钾钠基陶瓷也要好。
一种掺杂铌酸钾钠无铅压电陶瓷制备方法

[发明专利]一种高效促成骨铌酸钾钠基压电植入材料及其制备方法与应用-CN201811532820.X有效
发明人：宁成云;姚甜甜;陈俊祺;肖才榕;王珍高;张珂嘉;胡诗迁 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明属于促成骨植入体的技术领域，公开了一种高效促成骨铌酸钾钠基压电植入材料及其制备方法与应用。方法为1)将五氧化二铌、碳酸钾、碳酸钠和掺杂元素化合物进行球磨，获得球磨粉体；将球磨粉体进行煅烧，获得元素掺杂铌酸钾钠基陶瓷粉；掺杂元素化合物为含硒、钙、锌、铁中一种以上元素的化合物；2)将元素掺杂铌酸钾钠基陶瓷粉与粘结剂混合均匀，造粒、成型、排胶、致密烧结，极化处理，得到铌酸钾钠基压电植入材料。
一种高效促成骨铌酸钾钠基压电植入材料及其制备方法应用

[发明专利]一种透明铌酸钾钠晶体及其制备方法与应用-CN202111239351.4有效
发明人：付秀伟;尹芳艺;陶绪堂;贾志泰;刘蕾 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种透明铌酸钾钠晶体及其制备方法与应用，该铌酸钾钠晶体分子式为(Na1‑x‑yKxLiy1‑zAz)O3，0.1≤x≤0.9，0≤y≤0.2，0≤z≤0.5，A为Ta、Mn或Sb,该铌酸钾钠单晶的可见光区透过率透明铌酸钾钠基单晶的制备首先利用固相烧结合成多晶料，若进行掺杂改性则相应加入各备选元素，再利用顶部籽晶助熔剂法依次经过熔融、下种、放肩、等径生长制得。本发明的方法有效解决了现有铌酸钾钠晶体产品透明度低、结晶质量差等问题，从而生长出一种高质量铌酸钾钠透明单晶。本发明生长的铌酸钾钠单晶可见光区透过率超过70％。
一种透明铌酸钾钠晶体及其制备方法应用

[发明专利]一种铌酸钾钠基压电陶瓷及其制备方法和应用-CN201911219303.1有效
发明人：李敏;杨小红;陈建兵 -专利权人：池州学院
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明提供了一种铌酸钾钠基压电陶瓷及其制备方法和应用，属于压电陶瓷技术领域。本发明提供的铌酸钾钠基压电陶瓷，通式为K0.48Na0.52Sb0.10Nb本发明通过添加特定用量的氧化锰作为烧结助剂，有效地降低了Na2O和K2O在烧结过程中的挥发量，使制备得到的铌酸钾钠基压电陶瓷具有良好的致密性，且不易受潮，同时解决了现有技术中掺杂Sb元素的铌酸钾钠基压电陶瓷致密性差的技术缺陷。实施例结果表明，本发明制备得到的铌酸钾钠基压电陶瓷在40kV/cm电场下应变达到0.15％，在70kV/cm电场下，应变达到0.23％，致密度达到98％。
一种铌酸钾钠基压电陶瓷及其制备方法应用

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